[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的一些实施例涉及半导体器件及其制造方法。可以在相同的衬底上形成需要减少泄漏电流的第一晶体管以及需要高速运算和低功耗兼容的第二晶体管，并且为两种类型的晶体管分别提供足够的性能。第一晶体管需要减少泄漏电流。第二晶体管需要低功耗、高速运算。衬底的形成第二扩散层的部分的上表面形成为低于形成第一扩散层的部分的上表面。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成第一区域中的第一晶体管的第一栅极电极、以及第二区域中的第二晶体管的第二栅极电极；在所述第一区域和所述第二区域中形成在所述衬底之上的偏移间隔体膜，以覆盖所述第一栅极电极和所述第二栅极电极；选择性地蚀刻在所述第二区域中形成的所述偏移间隔物膜，以暴露所述第二栅极电极的上表面、以及所述衬底的在所述第二区域中的所述第二栅极电极周围的上表面，并留下在所述第一区域中形成的所述偏移间隔物膜、以及在所述第二栅极电极的侧边上形成的所述偏移间隔体膜；在所述第一区域中形成的所述偏移间隔物膜、所述第二栅极电极、所述第二栅极电极的侧边的所述偏移间隔物膜、以及所述第二区域中的所述衬底上形成第一绝缘膜；形成第二绝缘膜以覆盖所述第一绝缘膜；通过回蚀刻所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，形成在所述第一栅极电极上形成的所述偏移间隔物膜的侧边上的第一侧壁、以及在所述第二栅极电极的侧边上形成的所述偏移间隔物膜的侧边上的第二侧壁；以及通过使用第一栅极电极、在所述第一栅极电极的侧边上形成的所述偏移间隔物膜、所述第一侧壁、所述第二栅极电极、在所述第二栅极电极的侧边上形成的所述偏移间隔物膜以及所述第二侧壁作为掩模，在所述衬底中注入离子，由此形成用于所述第一晶体管的源极和漏极的第一扩散层、以及用于所述第二晶体管的源极和漏极的第二扩散层。