[发明专利]一种多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201810827786.2 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108933080A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 何鹏;余宏萍 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：提供基板，在基板上形成非晶硅薄膜；将非晶硅薄膜置于空气中进行氧化，以在非晶硅薄膜上形成氧化膜；利用氢氟酸对氧化膜进行刻蚀，刻蚀后保留部分氧化膜；对非晶硅薄膜进行准分子激光处理，形成多晶硅薄膜。通过上述方式，本申请能够降低多晶硅薄膜表面的粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 氧化膜 薄膜晶体管 基板 刻蚀 制备 多晶硅薄膜表面 准分子激光 粗糙度 氢氟酸 申请 保留 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基板，在所述基板上形成非晶硅薄膜；将所述非晶硅薄膜置于空气中进行氧化，以在所述非晶硅薄膜上形成氧化膜；利用氢氟酸对所述氧化膜进行刻蚀，刻蚀后保留部分氧化膜；对所述非晶硅薄膜进行准分子激光处理，形成多晶硅薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司，未经武汉华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810827786.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种镓锡氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用
- 下一篇：过孔和跳孔结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
