[发明专利]一种柔性TFT基板的镀膜工艺在审
| 申请号： | 201810833954.9 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109166786A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 高迪;万志龙;丁文涛;谭晓彬;李林 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 邓义华;廖苑滨 |
| 地址： | 516600 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性TFT基板的镀膜工艺，包括如下步骤：S1.提供承载基板；S2.在所述承载基板形成柔性基板；S3.将柔性基板置于镀膜腔室中，在40℃下采用PVD镀膜的方式在所述柔性基板上镀制第一钼层，将柔性基板从镀膜腔室中取出，冷却至室温后再放入镀膜腔室中，在40‑60℃下在所述第一钼层上采用采用PVD镀膜的方式分别镀制铝层和第二钼层。本发明中降低采用PVD镀膜的镀制温度，同时将第一钼层、以及铝层和第二钼层分次镀制，采用这种镀膜工艺，不仅可以保证钼铝钼层与柔性基板的粘附力，而且有效避免了TFT制备过程中因工艺温度过高柔性基板发生的形变、翘曲等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性基板 钼层 镀制 镀膜工艺 镀膜腔室 承载基板 铝层 温度过高 制备过程 钼铝钼层 形变 放入 翘曲 粘附 冷却 取出 保证 | ||
【主权项】：
1.一种柔性TFT基板的镀膜工艺，包括如下步骤：S1.提供承载基板；S2.在所述承载基板形成柔性基板；S3.将柔性基板置于镀膜腔室中，在40℃下采用PVD镀膜的方式在所述柔性基板上镀制第一钼层，将柔性基板从镀膜腔室中取出，冷却至室温后再放入镀膜腔室中，在40‑60℃下在所述第一钼层上采用采用PVD镀膜的方式分别镀制铝层和第二钼层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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