[发明专利]反应腔室及半导体热处理设备在审
申请号: | 201810834696.6 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN110767569A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 杨帅;董金卫;杨慧萍 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种反应腔室及半导体热处理设备,包括内炉管,套置在内炉管外周的外炉管和进气管,进气管包括依次串接且连通的第一管部、第二管部和第三管部;第一管部的出气端伸入设置在内炉管上的第一通孔中,且第一管部通过第一通孔与内炉管的内部连通;第二管部设置在内炉管和外炉管之间,第三管部的进气端通过设置在外炉管上的第二通孔延伸至外炉管的外部;第一管部与第一通孔相配合,且第三管部固定在第二通孔处,以能够使进气管整体固定不动。其可以提高进气管的固定稳定性,并能够防止进气管与基片发生碰撞,减少损失,且工艺气体不会受到进气管自身结构的影响,提高工艺气体在反应腔室内分布的均匀性,从而提高半导体热处理的工艺效果。 | ||
搜索关键词: | 管部 进气管 通孔 外炉 炉管 工艺气体 第二管 内炉管 半导体热处理设备 固定稳定性 热处理 反应腔室 工艺效果 内部连通 伸入设置 依次串接 整体固定 出气端 反应腔 进气端 均匀性 套置 外周 连通 半导体 室内 外部 延伸 配合 | ||
【主权项】:
1.一种反应腔室,包括内炉管和套置在所述内炉管外周的外炉管,其特征在于,还包括进气管,所述进气管包括依次串接且连通的第一管部、第二管部和第三管部,其中,/n所述内炉管上设置有第一通孔;所述第一管部的出气端伸入所述第一通孔中,且所述第一管部通过所述第一通孔与所述内炉管的内部连通;/n所述第二管部设置在所述内炉管和外炉管之间;/n所述外炉管上设置有第二通孔;所述第三管部的进气端通过所述第二通孔延伸至所述外炉管的外部;/n所述第一管部与所述第一通孔相配合,且所述第三管部固定在所述第二通孔处,以能够使所述进气管整体固定不动。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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