[发明专利]集成电路及其形成方法

摘要

本发明的不同实施例涉及一种将NVM器件与逻辑或BCD器件集成的方法。在一些实施例中，隔离结构在半导体衬底中形成。隔离结构划分半导体衬底的存储区域，并且进一步地划分半导体衬底的外围区域。外围区域可诸如对应于BCD器件或逻辑器件。掺杂阱在外围区域中形成。介电密封层形成为覆盖存储区域和外围区域并且进一步覆盖掺杂阱。介电密封层从存储区域而非从外围区域去除。使用热氧化工艺在存储区域上形成存储单元结构。介电密封层从外围区域去除，并且包括栅电极的外围器件结构在外围区域上形成。本发明的实施例还提供了利用所述方法所形成的集成电路结构。

主权项

1.一种用于形成集成电路的方法，所述方法包括：提供包括第一器件区域和第二器件区域的半导体衬底，所述第一器件区域和所述第二器件区域由隔离结构分隔；在所述第二器件区域中形成掺杂阱；形成覆盖所述第一器件区域和所述第二器件区域并且还覆盖所述掺杂阱的密封层；从所述第一器件区域而不是从所述第二器件区域处去除所述密封层；在所述第一器件区域上形成存储单元结构；在形成所述存储单元结构之后，从所述第二器件区域处去除所述密封层；以及在所述第二器件区域上形成器件结构。