[发明专利]一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法有效
| 申请号： | 201810836388.7 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN108963034B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 袁雪婷;金井升;张昕宇;金浩;张艳鹤 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，包括将光衰后的掺硼单晶电池预热至180℃至250℃，将其中更多的缺陷从退火态激活为衰减态；利用红外激光照射所述掺硼单晶电池以注入载流子，使处于衰减态的缺陷钝化为再生态；迅速降低所述掺硼单晶电池的温度，抑制处于再生态的缺陷的失稳过程。上述掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，能够使光衰后的单晶电池的光电转换效率基本恢复到光衰之前的水平，减少资源浪费，降低生产成本和人工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺硼单晶 电池 光衰后 恢复 效率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，其特征在于，包括：将光衰后的掺硼单晶电池预热至180℃至250℃，将其中更多的缺陷从退火态激活为衰减态；利用红外激光照射所述掺硼单晶电池以注入载流子，使处于衰减态的缺陷钝化为再生态；迅速降低所述掺硼单晶电池的温度，抑制处于再生态的缺陷的失稳过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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