[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示装置在审
| 申请号： | 201810837306.0 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109065632A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;杨凤云;莫琼花 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王宁 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置，其中方法包括：提供基板；形成栅极；形成覆盖栅极的栅极绝缘层；形成半导体层，包括在栅极绝缘层上从下到上依次沉积形成非晶硅层以及N型掺杂非晶硅结构；N型掺杂非晶硅结构包括至少三层掺杂浓度从下到上呈递增排布的N型掺杂非晶硅层；在半导体层上沉积形成金属层；在金属层上形成图案化的光阻层；以及以光阻层为掩膜对金属层和半导体层进行刻蚀；其中，在第二道干法刻蚀中，控制射频源功率为2千瓦～5千瓦，射频偏置功率为7千瓦～3千瓦，刻蚀时间为35秒～50秒。上述方法制备得到的薄膜晶体管具有较小的漏电流和关断电流，从而有利于图像残留问题的改善，并提高稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体层 金属层 栅极绝缘层 显示装置 光阻层 刻蚀 沉积 射频源功率 非晶硅层 干法刻蚀 关断电流 偏置功率 图像残留 呈递 漏电流 图案化 基板 排布 三层 射频 掩膜 制备 制造 掺杂 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成栅极；在所述基板上形成栅极绝缘层，使所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；在所述栅极绝缘层上形成半导体层，包括在所述栅极绝缘层上从下到上依次沉积形成非晶硅层以及N型掺杂非晶硅结构；所述N型掺杂非晶硅结构包括至少三层的N型掺杂非晶硅层；所述至少三层的N型非晶硅层的掺杂浓度从下到上呈递增排布；在所述半导体层上沉积形成金属层；以及对所述金属层和所述半导体层进行刻蚀以得到源极和漏极；所述源极和漏极位于所述栅极绝缘层上且与所述半导体层的两侧相接触；其中，所述对所述金属层和所述半导体层进行刻蚀以得到源极和漏极的步骤包括：在所述金属层上形成图案化的光阻层；以及以所述光阻层为掩膜采用两道湿法刻蚀和两道干法刻蚀工艺对所述金属层和所述半导体层进行刻蚀；其中，在第二道干法刻蚀中，控制射频源功率为2千瓦～5千瓦，射频偏置功率为7千瓦～3千瓦，刻蚀时间为35秒～50秒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司，未经惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810837306.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管结构及其制作方法
- 下一篇：存储单元及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
