[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810839938.0 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN110299363B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 村田威史;中久保义则;早坂浩昭;山本直树 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含：第1绝缘层(11)，形成在半导体衬底(10)的上方；金属层(12)；密接层(13)，形成在金属层(12)的第1区域上；导电层(14)，形成在金属层(12)的第2区域上及密接层(13)上；第2绝缘层(15)，形成在导电层(14)上；多个配线层(18)，分别隔开地积层于第2绝缘层(15)的上方；半导体层(20)，在与半导体衬底(10)垂直的第1方向上延伸，底面连接于导电层(14)；存储部(MT)，配置在多个配线层(18)中的至少一个与半导体层(20)之间；以及狭缝(SLT)，在第2区域的上方在第1方向上延伸，侧面与多个配线层(18)相接且底面到达至导电层(14)，在内部配置着绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：半导体衬底；第1绝缘层，形成在所述半导体衬底的上方；金属层，形成在所述第1绝缘层上；密接层，形成在所述金属层的第1区域上；导电层，形成在所述金属层的与所述第1区域不同的第2区域上及所述密接层上；第2绝缘层，形成在所述导电层上；多个配线层，分别隔开地积层于所述第2绝缘层的上方；半导体层，在与所述半导体衬底垂直的第1方向上延伸，且底面连接于所述导电层；存储部，配置在所述多个配线层中的至少一个与所述半导体层之间；以及狭缝，在所述第2区域的上方在所述第1方向上延伸，侧面与所述多个配线层相接且底面到达至所述导电层，在内部配置着绝缘材料。
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