[发明专利]光掩模坯料、光掩模坯料制造方法和光掩模制造方法在审
申请号: | 201810840145.0 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109307982A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 高坂卓郎;金子英雄;入江重夫;川浦直树 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;G03F1/66;G03F1/76 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模坯料制造方法和光掩模制造方法。提供光掩模坯料,其包括透明衬底、在该衬底上的含铬材料的第一膜和与该第一膜邻接设置的含有硅/氧的材料的第二膜。该第二膜包括与该第一膜邻接的第一层和在膜厚方向上与该第一层间隔的第二层。该第一层的氧含量低于该第二层的氧含量。在该第一膜的蚀刻过程中,该设置防止蚀刻速率在该第一膜与该第二膜之间的界面处加速。 | ||
搜索关键词: | 光掩模坯料 第一层 蚀刻 光掩模制造 衬底 含铬材料 邻接设置 膜厚方向 界面处 邻接 制造 透明 | ||
【主权项】:
1.光掩模坯料,其被加工为透射光掩模,该透射光掩模用于使用波长至多250nm的曝光光形成图案的光刻,该光掩模坯料包括:透明衬底,第一膜,其设置在该衬底上并且由含铬材料形成,该含铬材料可通过使用氯气和氧气的气体混合物的氯/氧系干蚀刻来蚀刻并且耐受使用含氟气体的氟系干蚀刻,和第二膜,其与该第一膜邻接地设置并且由含有硅/氧的材料形成,该含有硅/氧的材料在该第一膜的氯/氧系干蚀刻过程中基本上未被蚀刻,在将该第一膜图案化时该第二膜用作蚀刻掩模,该第二膜包括与该第一膜邻接的区域和在膜厚方向上与该邻接的区域间隔的一侧,该邻接的区域的氧含量低于该间隔的一侧的氧含量。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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