[发明专利]一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810840948.6 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109103277B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;沈耿哲;何鑫;梁萍;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;陈毅湛 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器及其制备方法。经过制备混合溶液、多层薄膜、高温烧结、金属纳米粒子、电极等步骤制备所述基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器。本发明所述制备方法适用范围广，可以在多种大尺寸衬底上实现基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器的制备，有利于降低生产成本，而且制造设备简单，工艺成熟，方便规模化生产，另外，本发明所述的紫外光电探测器光电响应性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 zno 纳米 网格 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器，其特征在于，所述紫外光电探测器由衬底和衬底上的ZnO薄膜、ZnO薄膜上的ZnO纳米网格、ZnO纳米网格上的金属纳米粒子以及电极构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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