[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)及其制造方法。所述动态随机存取存储器包括基底、多个隔离结构、多条字线、多个位线触点以及多条埋入式位线。所述隔离结构位于基底中且定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域。所述字线位于基底中并沿着第二方向延伸，且第二方向与第一方向相交。所述位线触点位于隔离结构上，其中每一位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域。埋入式位线位于位线触点上，其中每一埋入式位线通过位线侧面触点以与主动区域连接，所述埋入式位线沿着第一方向延伸且与多个主动区域平行设置。

主权项

1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：基底；多个隔离结构位于所述基底中，其中所述多个隔离结构定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域；多条字线位于所述基底中，其中所述多条字线沿着第二方向延伸，且所述第二方向与所述第一方向相交；多个位线触点位于所述多个隔离结构上方，其中每一所述位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域；以及多条埋入式位线位于所述多个位线触点上方，其中每一所述埋入式位线通过所述位线侧面触点以与所述主动区域连接，所述多条埋入式位线沿着所述第一方向延伸且与所述多个主动区域平行设置。