[发明专利]芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法有效
| 申请号： | 201810843733.X | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109309039B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 宍户雄一郎;高本尚英;大西谦司;木村雄大;福井章洋;大和道子 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断并抑制飞散的芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法。本发明的芯片接合薄膜(10)的、对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下，断裂强度为15N以下，且断裂伸长率为40～400％。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 接合 薄膜 切割 以及 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片接合薄膜，其中，对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距离10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下，断裂强度为15N以下，且断裂伸长率为40～400％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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