[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810846316.0 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109686790A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 朴雨锡;宋昇珉;梁正吉;裵金钟;裵东一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L27/11;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括设置在衬底的第一区上的晶体管以及设置在衬底的第二区上的非有源组件，晶体管包括：源极/漏极区；多个沟道层，在分别连接源极/漏极区的同时在与衬底的上表面垂直的方向上彼此间隔开；栅极电极，环绕多个沟道层中的每一者；以及栅极绝缘体，位于栅极电极与多个沟道层之间。非有源组件包括：鳍结构，包括交替地堆叠的多个第一半导体图案与多个第二半导体图案；外延区，邻近鳍结构；非有源电极，与鳍结构相交；以及阻挡绝缘膜，位于非有源电极与鳍结构之间。本公开的半导体装置可以高速度运行，同时可考虑在操作方面具有高度准确性以及对半导体装置中所包括的晶体管的结构进行优化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 鳍结构 沟道层 晶体管 衬底 半导体图案 栅极电极 源电极 源组件 源极/漏极区 高度准确性 栅极绝缘体 阻挡绝缘膜 垂直的 第一区 连接源 漏极区 上表面 外延区 堆叠 相交 环绕 邻近 优化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：晶体管，设置在衬底的第一区上，所述晶体管包括：源极/漏极区；多个沟道层，在分别连接所述源极/漏极区的同时，所述多个沟道层在与所述衬底的上表面垂直的方向上彼此间隔开；栅极电极，环绕所述多个沟道层中的每一者；以及栅极绝缘体，位于所述栅极电极与所述多个沟道层之间；以及非有源组件，设置在所述衬底的第二区上，所述非有源组件包括：鳍结构，包括交替地堆叠的多个第一半导体图案与多个第二半导体图案，外延区，邻近所述鳍结构；非有源电极，与所述鳍结构相交；以及阻挡绝缘膜，位于所述非有源电极与所述鳍结构之间。
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