[发明专利]泵装置、处理液供给装置、基板处理装置、排液方法以及液体置换方法有效
申请号: | 201810853549.3 | 申请日: | 2018-07-30 |
公开(公告)号: | CN109427620B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 西村淳树;小椋浩之;柏山真人;门间徹;桐田将司;佐川荣寿;吉田省吾 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在腔室上形成有与积存部连通的至少三个开口、即第一开口、第二开口、第三开口。第二开口位于比第一开口高的位置。第三开口用于:通过从第一开口向积存部内导入气体,或者,通过从第三开口以外的两个开口中的至少任一个开口向积存部内导入气体,来排出积存部内的液体。第三开口在三个开口中位于最低的位置,因此,能够容易地排出容纳于积存部的液体。 | ||
搜索关键词: | 装置 处理 供给 方法 以及 液体 置换 | ||
【主权项】:
1.一种泵装置,用于输送液体,其中,该泵装置包括:腔室,具有积存部和与所述积存部相接的可动构件,该积存部为容纳液体的内部空间,通过使所述可动构件位移,来使所述积存部的容积变化;驱动部,使所述可动构件位移,所述腔室形成有与所述积存部连通的至少三个开口、即第一开口、第二开口、第三开口,所述第二开口位于比所述第一开口高的位置,所述第三开口在所述三个开口中位于最低的位置,所述三个开口中的任意两个开口用于:通过与所述可动构件的位移联动地控制液体的流通,向所述积存部内吸引液体和从所述积存部送出液体的通常的送液,所述第三开口用于:通过从其他两个开口中的至少任一个开口向所述积存部内导入气体,排出所述积存部内的液体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造