[发明专利]一种铜铁锡硫大块晶粒薄膜的溶液加工制备方法在审
| 申请号： | 201810856543.1 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109326503A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 董超;王命泰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/477;H01L31/032;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜铁锡硫大块晶粒薄膜的溶液加工制备方法，在常压惰性气体保护下，通过对在衬基上由溶液加工技术原位生长的Cu2FeSnS4纳米颗粒薄膜进行硫化处理，制备出Cu2FeSnS4大块晶粒薄膜；薄膜具有吸收系数大、厚度可控、且大多数晶粒尺寸与膜厚相当的特点。本发明制备技术具有方法简单易行、低成本及所用溶剂低毒且安全的优点，适合大规模生产，在光电材料、光伏材料及器件等领域具有重要的应用价值；同时，本发明中，克服了现有技术中的设备要求高、制备条件复杂、产物中晶粒尺寸小且不均匀等不足。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 制备 薄膜 溶液加工 大块 铜铁 锡硫 惰性气体保护 纳米颗粒薄膜 光电材料 光伏材料 厚度可控 技术原位 硫化处理 设备要求 吸收系数 制备条件 不均匀 低成本 用溶剂 常压 衬基 膜厚 生长 应用 安全 | ||
【主权项】：
1.一种铜铁锡硫大块晶粒薄膜的溶液加工制备方法，其特征在于，将醋酸铜、硫酸亚铁、氯化亚锡和硫脲溶解在N，N‑二甲基甲酰胺的有机溶剂中，得到铜铁锡硫反应前驱物溶液，将铜铁锡硫反应前驱物溶液在衬基上旋涂成膜制得铜铁锡硫反应前驱物薄膜，通过对铜铁锡硫反应前驱物薄膜的热处理原位生成铜铁锡硫纳米颗粒预制薄膜，经过铜铁锡硫纳米颗粒预制薄膜的生长得到纳米颗粒薄膜，最后对铜铁锡硫纳米颗粒薄膜进行常压硫化处理得到铜铁锡硫大块晶粒薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
