[发明专利]一种氟化碲化锗二维材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810858883.8 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110775947B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 封伟;张鑫;赵付来;王宇;冯奕钰;李瑀 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 天津创智睿诚知识产权代理有限公司 12251 | 代理人： | 李薇 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，将Ge粉和Te粒封装于石英管中，在真空管式炉中程序控温，退火得到前驱体GeTe晶体，依次用甲苯、乙醇冲洗多次除杂，干燥后于管式炉中暴露在F |
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| 搜索关键词： | 一种 氟化 碲化锗 二维 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行：按照等摩尔比将Ge、Te两种金属进行真空封装和处理以得到GeTe晶体，由20—25摄氏度在350—450min内升至1000—1100℃并维持1000—1200min再以0.5—3℃/min降温至20—25摄氏度；将GeTe晶体冲洗除杂干燥后，置于氟气气氛中进行处理得到氟化碲化锗二维材料GeTe-F，由室温20—25摄氏度在200—300min内升至200—400℃并保温20—60小时，再以0.5—3℃/min降温至常温20—25摄氏度，使用四氟胶带反复粘撕，得到二维层状半导体材料GeTe-F。/n
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