[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示面板在审
申请号: | 201810860305.8 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN109003991A | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 王超;赵生伟;刘华锋;南春香 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/417;H01L21/84 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了阵列基板及其制作方法和显示面板。该阵列基板包括显示区和围绕显示区设置的周边电路区,还包括:衬底;设置在衬底的第一表面上,且位于显示区的第一薄膜晶体管,包括第一栅极、第一有源层、第一源漏极;设置在所述第一表面上,且位于周边电路区的第二薄膜晶体管,包括第二栅极、第二有源层、第二源漏极;形成第一薄膜晶体管的第一有源层和形成第二薄膜晶体管的第二有源层的材料不同,第一有源层和第二有源层同层设置,第一源漏极和所述第二源漏极同层设置。该阵列基板的制作工艺简单,容易实现,成本较低,生产效率高,易于工业化。 | ||
搜索关键词: | 源层 薄膜晶体管 阵列基板 源漏极 显示区 周边电路区 第一表面 同层设置 显示面板 衬底 生产效率 制作工艺 制作 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,包括显示区和围绕所述显示区设置的周边电路区,其特征在于,包括:衬底;第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上,且位于所述显示区,包括第一栅极、第一有源层、第一源漏极;第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管设置在所述第一表面上,且位于所述周边电路区,包括第二栅极、第二有源层、第二源漏极;其中,形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层和形成所述第二薄膜晶体管的第二有源层的材料不同,所述第一有源层和所述第二有源层同层设置,所述第一源漏极和所述第二源漏极同层设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的