[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示面板在审

专利信息
申请号: 201810860305.8 申请日: 2018-08-01
公开(公告)号: CN109003991A 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 王超;赵生伟;刘华锋;南春香 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/417;H01L21/84
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 赵天月
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了阵列基板及其制作方法和显示面板。该阵列基板包括显示区和围绕显示区设置的周边电路区,还包括:衬底;设置在衬底的第一表面上,且位于显示区的第一薄膜晶体管,包括第一栅极、第一有源层、第一源漏极;设置在所述第一表面上,且位于周边电路区的第二薄膜晶体管,包括第二栅极、第二有源层、第二源漏极;形成第一薄膜晶体管的第一有源层和形成第二薄膜晶体管的第二有源层的材料不同,第一有源层和第二有源层同层设置,第一源漏极和所述第二源漏极同层设置。该阵列基板的制作工艺简单,容易实现,成本较低,生产效率高,易于工业化。
搜索关键词: 源层 薄膜晶体管 阵列基板 源漏极 显示区 周边电路区 第一表面 同层设置 显示面板 衬底 生产效率 制作工艺 制作
【主权项】:
1.一种阵列基板,包括显示区和围绕所述显示区设置的周边电路区,其特征在于,包括:衬底;第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上,且位于所述显示区,包括第一栅极、第一有源层、第一源漏极;第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管设置在所述第一表面上,且位于所述周边电路区,包括第二栅极、第二有源层、第二源漏极;其中,形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层和形成所述第二薄膜晶体管的第二有源层的材料不同,所述第一有源层和所述第二有源层同层设置,所述第一源漏极和所述第二源漏极同层设置。
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