[发明专利]一种CMP沟槽加工定位方法及定位装置在审
| 申请号： | 201810875043.2 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108972383A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 但文涛 | 申请（专利权）人： | 成都时代立夫科技有限公司 |
| 主分类号： | B24D13/00 | 分类号： | B24D13/00;B24D18/00 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 蒋秀清;李春芳 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMP沟槽加工定位方法，所述定位方法包括以下步骤：(1)制作用于定位抛光垫基材的定位环装置；(2)将定位环装置定位放置在雕刻设备的加工平台上；(3)将加工好的抛光垫基材放入与其相对应的定位环装置的镂空卡槽中；(4)雕刻设备的加工平台上带有的真空吸附小孔使抛光垫基材真空吸附在雕刻设备的平台上；(5)将定位装置外壁与雕刻机雕刻刀具圆盘外壁相对，在抛光垫基材上进行雕刻沟槽。本发明通过将抛光垫基材直接放入预先在平台定位固定的固定环装置的卡槽内并使固定环装置与雕刻刀具圆盘真空吸附，从而使抛光垫基材被充分的固定。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光垫基材 定位环装置 雕刻设备 真空吸附 固定环装置 定位装置 沟槽加工 加工平台 放入 外壁 雕刻机雕刻 刀具圆盘 雕刻刀具 定位放置 定位固定 镂空卡槽 小孔 雕刻 制作 加工 | ||
【主权项】：
1.一种CMP沟槽加工定位方法，其特征在于，所述定位方法包括以下步骤：(1)制作用于定位抛光垫基材的定位环装置(1)；(2)将定位环装置(1)定位放置在雕刻设备的加工平台上；(3)将加工好的抛光垫基材放入与其相对应的定位环装置(1)的镂空卡槽(2)中；(4)雕刻设备的加工平台上带有的真空吸附小孔使抛光垫基材真空吸附在雕刻设备的平台上；(5)将定位装置外壁与雕刻机雕刻刀具圆盘外壁相对，在抛光垫基材上进行雕刻沟槽。
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