[发明专利]一种分离栅MOSFET器件结构及其制造方法

摘要

本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种分离栅MOSFET器件结构，包括有源区，有源区内包括若干个相互并联的器件元胞单元，器件元胞单元包括第一导电类型衬底及第一导电类型漂移区，在第一导电类型漂移区的上部设有第二导电类型阱区，在第二导电类型阱区间设有第一类型沟槽及位于第一类型沟槽两侧的第二类沟槽，且沟槽均从第一导电类型漂移区表面延伸到其内部，在第一类型沟槽内填充有分离栅多晶硅、厚氧化层及掩蔽氧化层，在第二类沟槽内填充有栅极多晶硅及栅氧化层，栅极多晶硅的内侧与厚氧化层邻接；本发明该器件的制作工艺简单，光刻次数少，成本较低，同时分离栅器件沟槽宽度和深度容易控制，器件耐压性能更好，且具有更低的导通电阻。

主权项

1.一种分离栅MOSFET器件结构，包括有源区，所述有源区内包括若干个相互并联的器件元胞单元，所述器件元胞单元包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型漂移区（2），在所述第一导电类型漂移区（2）的上部设有第二导电类型阱区（8），其特征在于，在所述第二导电类型阱区（8）间设有第一类型沟槽（3）及位于所述第一类型沟槽（3）两侧的第二类沟槽（4），且所述第一类型沟槽（3）和第二类沟槽（4）均从第一导电类型漂移区（2）表面延伸到其内部，在所述第一类型沟槽（3）内填充有分离栅多晶硅（5）、包裹所述分离栅多晶硅（5）的厚氧化层（6）及盖封在所述分离栅多晶硅（5）上的掩蔽氧化层（7），在所述第二类沟槽（4）内填充有栅极多晶硅（10）及位于栅极多晶硅（10）外侧的栅氧化层（11），所述栅极多晶硅（10）的内侧与厚氧化层（6）邻接。