[发明专利]肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810877769.X | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108807554B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;林信南;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括：硅外延片，中部形成有至少一个沟槽，所述硅外延片的位于所述中部相对两侧的边沿分别形成有第一缺口和第二缺口；氧化层；多晶硅层；介质层；阳极金属层，所述阳极金属层的相对两侧的边沿分别形成有第三缺口和第四缺口，所述阳极金属层的位于所述第三缺口与所述肖特基接触孔之间的区域以及位于所述第四缺口与所述肖特基接触孔之间的区域分别形成有至少一个开孔，所述第三缺口、所述第四缺口和所述开孔贯穿所述阳极金属层、且位于所述氧化层的正上方；阴极金属层；所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影覆盖所述至少一个沟槽。本发明实施例可以优化器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：硅外延片，所述硅外延片的中部形成有至少一个沟槽，所述硅外延片的位于所述中部相对两侧的边沿分别形成有第一缺口和第二缺口；氧化层，覆盖所述至少一个沟槽的表面以及所述第一缺口和所述第二缺口的表面；多晶硅层，填充所述至少一个沟槽的除所述氧化层之外的空间；介质层，设置于所述硅外延片和所述氧化层的上表面；阳极金属层，设置于所述介质层上且延伸至肖特基接触孔内以覆盖所述肖特基接触孔的底部，其中，所述肖特基接触孔贯穿所述介质层、且在所述硅外延片上的投影覆盖所述至少一个沟槽，所述阳极金属层的相对两侧的边沿分别形成有第三缺口和第四缺口，所述阳极金属层的位于所述第三缺口与所述肖特基接触孔之间的区域以及位于所述第四缺口与所述肖特基接触孔之间的区域分别形成有至少一个开孔，所述第三缺口、所述第四缺口和所述开孔贯穿所述阳极金属层、且位于所述氧化层的正上方；以及阴极金属层，设置于所述硅外延片的下表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市晶相技术有限公司，未经深圳市晶相技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810877769.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
