[发明专利]一种碳化硅晶体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810878368.6 申请日: 2018-08-03
公开(公告)号: CN110791810B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 张锐;范冰冰;魏盛楠;宋勃震;邵刚;王海龙;刘雯;卢红霞;许红亮;陈德良 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B1/10
代理公司: 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 代理人: 周新楣
地址: 450001 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种碳化硅晶体的制备方法,属于碳化硅的制备技术领域。本发明的碳化硅晶体的制备方法,包括以下步骤:提供由非晶态二氧化硅包裹碳源前驱体与水组成的混合体系;所述混合体系中非晶态二氧化硅包裹碳源前驱体与水的质量比为100:8~11;将所述混合体系压制成型制成坯体;将所述坯体埋入石英砂中进行微波烧结合成,即得。本发明的碳化硅晶体的制备方法,通过将含一定水分的坯体埋入石英进行微波烧结,由于微波场中的热效应和非热效应,提高了局部分子的活性,从而能够降低开始生成碳化硅的温度,缩短微波烧结时间,降低微波烧结能耗。
搜索关键词: 一种 碳化硅 晶体 制备 方法
【主权项】:
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