[发明专利]一种含吡啶和三亚苯结构的化合物及其应用在审
| 申请号： | 201810879735.4 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108948009A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 马腾达;荆一铭;黄达;陈少海 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | C07D471/04 | 分类号： | C07D471/04;C07D519/00;C07D401/14;C07D401/12;C07D405/04;C07D213/74;C07D409/04;C07D213/16;C07D405/14;C07D409/14;C09K11/06;H01L51/50;H01L5 |
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| 地址： | 210093 江苏省南京市鼓楼区青岛路3*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明属于有机电致发光材料领域，公开了一种含吡啶和三亚苯结构的化合物及其应用。本发明所公开的化合物具有通式(I)所示的结构。其中，由于吡啶基团在化合物中的占位比例较小，因而本发明化合物的空穴和电子传输性能较为平衡。另外，本发明化合物的合成路线成熟，从而为大批量工业化生产提供了可能性。 |
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| 搜索关键词： | 本发明化合物 有机电致发光材料 电子传输性能 空穴 合成路线 吡啶基团 占位 应用 平衡 成熟 | ||
【主权项】：
1.一种含吡啶和三亚苯结构的化合物，其具有通式(I)所示的结构：![]()
其中，Rx、Ry表示氢、氘、C1‑C36烷基、C3‑C72芳基、C3‑C72杂芳基；Cz表示取代或未取代的萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、式(I‑1)结构、式(I‑2)结构、式(I‑3)结构、式(I‑4)结构或式(I‑5)结构：![]()
式(I‑1)、式(I‑2)、式(I‑3)、式(I‑4)和式(I‑5)中，N21‑N28各自独立地表示N或CRa，且N21‑N28中至少有一个为CRa，且所述CRa的碳原子与式(I)的吡啶相连，所述Ra表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，所述Rb表示烷基或者杂芳基；N31‑N33、N36‑N38各自独立地表示N或CRc，Rc表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，N34、N35为CH；N41‑N48各自独立地表示N或CRd，Rd表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，X表示O、S或Se原子；N51‑N62各自独立地表示N或CRe，Re表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，且N51‑N62至少有一个CRe，且所述CRe的碳原子与式(I)的吡啶相连；N71‑N80各自独立地表示N或CRf，Rf表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基；符号(*)表示该位置与通式(I)的吡啶相连接。
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