[发明专利]闪存及其制造方法

摘要

本发明提供了一种闪存及其制造方法，该闪存的制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成栅极氧化层、浮栅层和浮栅掩膜层；刻蚀所述浮栅掩膜层形成开口，形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀部分所述浮栅层形成沟槽；在所述开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层，刻蚀所述氧化物层形成第二侧墙；刻蚀第二侧墙内的浮栅层和栅极氧化层以暴露所述衬底，并沉积氧化物，对所述氧化物进行热退火工艺；刻蚀所述氧化物层形成第三侧墙，第三侧墙连接所述第二侧墙和所述衬底。本发明增加了热退火工艺，该工艺引入氢气，在氢气氛围下，可有效减少氧化物内的缺陷，还能增加后续形成的第三侧墙对浮栅层的覆盖效果，最终增加闪存的数据保持能力。

主权项

1.一种闪存的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成栅极氧化层、浮栅层和浮栅掩膜层；刻蚀所述浮栅掩膜层形成开口，开口暴露出所述浮栅层，并且形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀部分所述浮栅层形成沟槽；在所述开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层，刻蚀所述氧化物层以暴露所述浮栅层并且保留开口及沟槽内的部分氧化物层形成第二侧墙；以所述第二侧墙为掩膜，继续刻蚀所述第二侧墙内的所述浮栅层和所述栅极氧化层以暴露所述衬底，并沉积氧化物，对所述氧化物进行热退火工艺；刻蚀所述氧化物层形成第三侧墙，所述第三侧墙连接所述第二侧墙和所述衬底。