[发明专利]用于制造具有两个基板的检测装置的方法及该检测装置有效
申请号: | 201810882833.3 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN109390432B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 帕特里克·勒迪克 | 申请(专利权)人: | 原子能和替代能源委员会 |
主分类号: | H01L31/14 | 分类号: | H01L31/14;H01L31/18 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 邬志岐;姚开丽 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种制造用于检测电磁辐射的装置(1)的方法。该方法包括以下步骤:提供第一基板(400),所述第一基板(400)包括读出电路(340)、至少两个第一接触插塞(343,344)和围绕第一接触插塞(343,344)的至少一个第一环形接合元件(345);提供第二基板,所述第二基板包括帽盖(210)、环形侧壁和检测结构(100),环形侧壁与帽盖(210)形成腔室,腔室中填充有牺牲材料,检测结构(100)容置在所述腔室中。该方法进一步包括如下步骤:将第二基板(200)接合在第一基板(400)上;在第二基板(200)中布置至少一个开口(212);选择性地去除牺牲材料;在至少初级真空下封闭所述开口(212)。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 具有 两个 检测 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.用于检测电磁辐射的装置(1)的制造方法,所述方法包括以下步骤:‑提供第一基板(400),所述第一基板集成读出电路(340)并且包括第一表面和第二表面,所述第一基板(400)进一步包括连接到所述读出电路(340)的至少两个第一接触插塞(343,344)和围绕所述第一接触插塞(343,344)的至少一个第一环形接合元件(345),所述第一接触插塞(343,344)和所述第一环形接合元件(345)各自至少部分地暴露在所述第一基板的所述第一表面上;‑提供第二基板(200),所述第二基板(200)包括:o所述第二基板(200)的第一表面和所述第二基板(200)的第二表面,o至少一个检测结构(100),所述至少一个检测结构(100)用于检测电磁辐射并且设置有至少两个连接臂(151,152),每个连接臂通过与一个相应的第一接触插塞(343,344)互补的第二接触插塞(153,154)延伸,o牺牲材料,所述牺牲材料包围所述检测结构(100)、所述第一连接臂(151)和所述第二连接臂(152),o帽盖(210),所述帽盖(210)包括所述第二基板(200)的所述第一表面,o从所述帽盖延伸的至少一个环形侧壁(220),所述环形侧壁(220)与所述帽盖(210)形成容置所述检测结构和所述牺牲材料的腔室(235),所述环形侧壁(220)在与所述帽盖(210)相对的一个端部上设置有与所述第一环形接合元件(345)互补的第二环形接合元件(245),其中,所述第二接触插塞(153,154)和所述第二环形接合元件(245)各自至少部分地暴露在所述第二基板(200)的所述第二表面上;‑通过将所述第二环形接合元件(245)接合在所述第一环形接合元件(345)上并将所述第一接触插塞(343,344)接合在所述第二接触插塞(153,154)上,将所述第二基板(200)的所述第二表面接合在所述第一基板(400)的所述第一表面上;‑在所述第二基板(200)中布置至少一个开口(212);‑选择性地去除所述牺牲材料;‑在至少初级真空下封闭所述开口(212),由此形成用于检测电磁辐射的所述装置(1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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