[发明专利]具有电阻可变存储器件的半导体存储器系统及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201810884637.X 申请日: 2018-08-06
公开(公告)号: CN109727618B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 郑承奎;权正贤;申原圭;洪道善 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/20
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;李少丹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种包括电阻可变存储器件的半导体存储器系统及其驱动方法。半导体存储器系统包括:存储器控制器,其包括被配置为确定写入命令的生成时段的调度器;存储器件,其包括存储单元阵列,所述存储器件被配置为响应于写入命令将从存储器控制器输入的数据写入存储单元阵列中;以及数据确定电路,其被配置为当输入数据的所有逻辑电平彼此相等时向调度器输出改变信号,所述调度器响应于所述改变信号来改变所述写入命令的生成时段。
搜索关键词: 具有 电阻 可变 存储 器件 半导体 存储器 系统 及其 驱动 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储器系统,包括:数据确定电路,其被配置为基于输入数据的逻辑电平来输出改变信号;以及调度器,其被配置为响应于所述改变信号来改变写入命令的生成时段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810884637.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top