[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810885574.X | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109920783B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 山崎贵史;菊地伸一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B80/00 | 分类号： | H10B80/00;H01L23/538;G11C5/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够谋求可靠性的提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备衬底、控制器、半导体存储器零件、第1及第2电容器、以及跨接元件。所述衬底具有导体图案。所述导体图案包含：第1导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第1电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第1电容器；及第2导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第2电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第2电容器。所述第1导体部与所述第2导体部相互分离，并且利用所述跨接元件相互电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：衬底，具有第1区域、第2区域、及位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域，并且具有导体图案；控制器，安装在所述第1区域；半导体存储器零件，安装在所述第2区域，且由所述控制器控制；第1及第2电容器，安装在所述第3区域，且在从所述第1区域朝向所述第2区域的第1方向上排列；及第1跨接元件，安装在所述第3区域；且所述导体图案包含：第1导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第1电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第1电容器；及第2导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第2电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第2电容器；所述第1导体部与所述第2导体部在所述第1方向上相互分离，并且利用所述第1跨接元件相互电连接。
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