[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201810886178.9 | 申请日: | 2016-02-19 |
公开(公告)号: | CN109037111B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 泽岛隼;波多野章人;小林健司;西村优大;岛井基行;林豊秀 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置,该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。返回流路与上游流路连接。下游加热器对在上游流路内流动的液体进行加热。下游切换单元能够将从供给流路供给到多个上游流路的液体有选择地供给到多个喷出口以及返回流路中的一方。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:基板保持单元,一边将基板保持为水平,一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转,处理液供给系统,包括罐、上游加热器、供给流路、多个上游流路、多个喷出口、多个返回流路、多个下游加热器、下游切换单元、多个返回流量调整阀,向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液;所述罐贮存向所述供给流路供给的处理液,所述上游加热器通过对处理液进行加热来调整所述罐内的处理液的温度,所述供给流路将处理液向多个所述上游流路引导,多个所述上游流路从所述供给流路分支,将从所述供给流路供给的处理液向多个所述喷出口引导,多个所述喷出口包括主喷出口和多个副喷出口,所述主喷出口向所述基板的上表面中央部喷出处理液,多个所述副喷出口向从所述上表面中央部离开且距所述旋转轴线的距离不同的所述基板的上表面内的多个位置分别喷出处理液,多个所述喷出口分别配置在距所述旋转轴线的距离不同的多个位置,将经由多个所述上游流路供给的处理液向由所述基板保持单元保持的基板的上表面喷出,多个所述上游流路包括与所述主喷出口连接的主上游流路和与多个所述副喷出口连接的多个副上游流路,多个所述返回流路在多个所述副喷出口的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接,将从多个所述副上游流路供给的处理液向所述罐引导,多个所述下游加热器在所述返回流路和所述副上游流路的连接位置的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接,对在多个所述副上游流路内流动的处理液进行加热,所述下游切换单元能够切换到多个状态中的某个状态,所述多个状态包括从所述供给流路供给到多个所述上游流路的处理液向多个所述喷出口供给的喷出状态和从所述供给流路供给到多个所述上游流路的处理液向多个所述返回流路供给的喷出停止状态,多个所述返回流量调整阀分别连接于多个所述上游流路,使在所述喷出停止状态时从所述供给流路向多个所述上游流路供给的处理液的流量比在所述喷出状态时从所述供给流路向多个所述上游流路供给的处理液的流量减少。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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