[发明专利]一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法

摘要

本发明提出了一种解决ALD方式的PERC太阳能电池在电注入或光注入后效率降低的方法，在现有工艺路线：制绒‑扩散‑刻蚀/背抛‑正面氮化硅膜沉积‑背面ALD方式氧化铝膜沉积‑背面氮化硅膜沉积(PECVD)‑激光开槽‑丝印印刷‑烧结基础上，在背面氮化硅膜沉积工序进行工艺变动，在氮化硅膜制作前，先利用笑气、氨气、硅烷在射频电离下制作一层折射率与背面氧化铝膜接近的氮氧化硅薄膜，然后采用正常工艺制作一层氮化硅膜，完成全部工序，测试电池片在电注入或光注入前后效率差异，发现经电注入或光注入后PERC电池片效率有0.05％‑0.1％的提升。

主权项

1.一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：第1步：将背面ALD方式氧化铝膜沉积好的硅片插入石墨舟中，然后送入PECVD炉管中，抽真空，升温至工艺设定值；第2步：在低压下通入笑气、氨气、硅烷，开启射频电源，时间60s‑300s，完成氮氧化硅膜制作；第3步：在低压下通入氨气、硅烷，开启射频电源，时间600s‑1000s，完成氮化硅膜制作；第4步：抽真空、充氮气回压、出舟，完成整个工艺。