[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含第一半导体装置、第二半导体装置及接合结构。第一半导体装置包含第一导电层形成于第一基板上，第一蚀刻停止层形成于第一导电层上，且与第一导电层直接接触，第一接合层形成于第一蚀刻停止层上，以及第一接合导孔穿过第一接合层和第一蚀刻停止层而形成。第二半导体装置包含第二导电层和第二蚀刻停止层形成于第二基板上，第二接合层形成于第二蚀刻停止层上，以及第二接合导孔穿过第二接合层和第二蚀刻停止层而形成。接合结构位于第一基板与第二基板之间，且包含第一接合导孔接合至第二接合导孔。

主权项

1.一种半导体结构，包括：一第一半导体装置，其中该第一半导体装置包括：一第一导电层，形成于一第一基板之上；一第一蚀刻停止层，形成于该第一导电层之上，其中该第一蚀刻停止层直接接触该第一导电层；一第一接合层，形成于该第一蚀刻停止层之上；以及一第一接合导孔，穿过该第一接合层和该第一蚀刻停止层而形成，其中该第一接合导孔电性连接至该第一导电层；一第二半导体装置，其中该第二半导体装置包括：一第二导电层，形成于一第二基板之上；一第二蚀刻停止层，形成于该第二导电层之上，其中该第二蚀刻停止层直接接触该第二导电层；一第二接合层，形成于该第二蚀刻停止层之上；以及一第二接合导孔，穿过该第二接合层和该第二蚀刻停止层而形成，其中该第二接合导孔电性连接至该第二导电层；以及一接合结构，位于该第一基板与该第二基板之间，其中该接合结构包括该第一接合导孔接合至该第二接合导孔。