[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，其包括衬底、形成在衬底上的沟槽、形成在所述沟槽底部的第一导电类型的补偿层、形成在补偿层上的第一氧化层、形成在第一氧化层上的引线层、形成在所述沟槽侧壁的至少一个具有第二导电类型的第一注入区及至少一个具有第一导电类型的第二注入区、第一电极及第二电极，所述第一注入区与所述第二注入区间隔设置，所述沟槽侧壁的顶部为第二注入区，所述第一电极通过所述引线层与所述第一注入区电连接，所述第二电极与所述补偿层电连接。本发明还提供一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件既减少了集成面积的浪费，增强了耐压能力降低了制造成本，同时也有利于半导体器件或电路的布局。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包括衬底、形成在衬底上的沟槽、形成在所述沟槽的底部的第一导电类型的补偿层、形成在补偿层上的第一氧化层、形成在第一氧化层上的引线层、形成在所述沟槽侧壁的至少一个具有第二导电类型的第一注入区及至少一个具有第一导电类型的第二注入区、第一电极及第二电极，所述第一注入区与所述第二注入区间隔设置，所述沟槽的侧壁的顶部为第二注入区，所述第一电极通过所述引线层与所述第一注入区电连接，所述第二电极与所述补偿层电连接。