[发明专利]具有周围有基础绝缘结构的有源柱的半导体装置在审
| 申请号： | 201810891561.3 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN109411536A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 曹九荣;郭大荣;金信惠;柳庚玟;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包含从衬底突出的有源图案及围绕有源图案的下部部分的绝缘结构。绝缘结构包含与衬底的顶部表面及有源图案的侧壁共形的绝缘层以及在绝缘层上的掩埋绝缘图案。本发明的半导体装置具有增强的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 绝缘结构 源图案 绝缘层 衬底 顶部表面 绝缘图案 侧壁 共形 掩埋 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：有源图案，从衬底突出；以及绝缘结构，围绕所述有源图案的下部部分且包括绝缘层以及在所述绝缘层上的掩埋绝缘图案，所述绝缘层与所述衬底的顶部表面以及所述有源图案的侧壁共形。
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