[发明专利]包括通路插塞的半导体器件在审
| 申请号： | 201810895555.5 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110120381A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李义福;白宗玟;安商熏;吴赫祥 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括设置在衬底上的下绝缘层。导电图案形成在下绝缘层中。中间绝缘层设置在下绝缘层和导电图案上。通路控制区域形成在中间绝缘层中。上绝缘层设置在中间绝缘层和通路控制区域上。通路插塞形成为穿过通路控制区域并连接到导电图案。通路控制区域具有比中间绝缘层低的蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 中间绝缘层 通路控制 导电图案 绝缘层 半导体器件 通路插 蚀刻 区域形成 上绝缘层 下绝缘层 衬底 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上的下绝缘层；在所述下绝缘层中的导电图案；在所述下绝缘层和所述导电图案上的中间绝缘层；在所述中间绝缘层中的通路控制区域，所述通路控制区域具有比所述中间绝缘层低的蚀刻速率；在所述中间绝缘层和所述通路控制区域上的上绝缘层；以及穿过所述通路控制区域并且连接到所述导电图案的通路插塞。
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