[发明专利]基于(Inx 有效
| 申请号： | 201810900497.0 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109301022B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;余建刚;元磊;张弘鹏 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 郝梦玲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于(In |
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| 搜索关键词： | 基于 in base sub | ||
【主权项】：
1.一种基于(InxGa1‑x)2O3的双波段紫外光电器件的制备方法，其特征在于，包括：选取衬底；在所述衬底上表面生长(InxGa1‑x)2O3材料形成紫外光吸收层；在所述紫外光吸收层的上表面生长Au和In形成叉指电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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