[发明专利]等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201810901047.3 申请日: 2018-08-09
公开(公告)号: CN109390200B 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 小泉克之;高桥雅典 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;徐飞跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种等离子体处理装置,其第一载置台(2)由第一部件(20)、片部件(21)和第二部件(22)构成。第一部件(20)在与载置晶片(W)的载置面(2a)相反的背面侧的与载置面(2a)对应的范围内形成有凹部(24)。片部件(21)形成为片状,设置有加热件(21c)和对该加热件(21c)供给电力的引出配线(21d)。片部件(21)以加热件(21c)位于凹部(24)的内部的与载置面(2a)对应的区域,引出配线(21d)位于凹部(24)的侧面的方式配置在凹部(24)内。第二部件(22)与配置了片部件(21)的凹部(24)嵌合。由此,能够抑制对被处理体进行的等离子体处理的面内均匀性的降低。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:第一部件,其在与载置面相反的背面侧的与所述载置面对应的范围内形成有凹部,其中,所述载置面用于载置作为等离子体处理对象的被处理体;片部件,其形成为片状,设置有加热件和用于对该加热件供给电力的引出配线,所述片部件以所述加热件位于所述凹部的内部的与载置面对应的区域且所述引出配线位于所述凹部的侧面的方式配置在所述凹部内;和第二部件,其与配置了所述片部件的所述凹部嵌合。
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