[发明专利]基片处理方法、存储介质和基片处理系统在审
| 申请号： | 201810902225.4 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109390254A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 束野宪人;五师源太郎;增住拓朗;清濑浩巳;福井祥吾 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法。在本发明的基片处理方法中，首先，作为液膜形成步骤，使基片(W)以第一转速旋转并且向基片(W)的表面供给处理液，形成覆盖基片(W)的表面的处理液的液膜。在液膜形成步骤之后，作为供给停止步骤，使基片(W)的转速成为第一转速以下的转速，并且停止向基片(W)供给处理液。在供给停止步骤之后，作为液量调整步骤，使基片(W)的转速成为比第一转速大的转速，减少形成液膜的处理液的液量。 | ||
| 搜索关键词： | 处理液 液膜 基片处理 供给停止 液量 基片处理系统 存储介质 调整步骤 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：一边使基片以第一转速旋转一边向所述基片的表面供给处理液，形成覆盖所述基片的表面的所述处理液的液膜的液膜形成步骤；在所述液膜形成步骤之后，使所述基片的转速成为所述第一转速以下的转速，并且停止向所述基片供给所述处理液的供给停止步骤；和在所述供给停止步骤之后，使所述基片的转速成为比所述第一转速大的第二转速，减少形成所述液膜的所述处理液的液量的液量调整步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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