[发明专利]一种MEMS晶圆切割方法在审
| 申请号： | 201810902280.3 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN108996470A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杨水长;甘先锋;陈文礼;孙传彬 | 申请（专利权）人： | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 264006 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS晶圆切割方法，包括对晶圆进行晶圆级结构释放；在进行结构释放后的晶圆背面贴附透明薄膜，并将晶圆固定于切割框架；利用隐形激光从晶圆背面透过薄膜对晶圆进行切割。上述方法通过先对晶圆进行晶圆级结构释放可以有效增加结构释放的效率；对晶圆背面贴附透明薄膜可以在将晶圆固定于切割框架的同时，保证激光可以透过透明薄膜而仅作用于晶圆背面；通过隐形激光从晶圆的背面进行切割可以有效减少在切割过程中硅渣的产生。上述方法在切割过程中避免使用到打孔贴膜、等离子体切割等复杂的工序和昂贵的设备，从而有效降低了晶圆加工的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 结构释放 晶圆背面 透明薄膜 激光 晶圆切割 切割过程 切割框架 晶圆级 贴附 切割 等离子体切割 晶圆加工 有效减少 打孔 硅渣 贴膜 薄膜 背面 保证 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS晶圆切割方法，其特征在于，所述方法包括：对晶圆进行晶圆级结构释放；在进行结构释放后的所述晶圆背面贴附透明薄膜，并将所述晶圆固定于切割框架；利用激光从所述晶圆背面透过所述薄膜对所述晶圆进行隐形激光切割。
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