[发明专利]衬底处理设备及其清洁方法在审
| 申请号： | 201810903569.7 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109411388A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 郑淑真;具奉珍;金局泰;李仁善;洪守珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种衬底处理设备和清洁该设备的方法。该设备包括：处理室；支撑单元，其位于处理室中并且构造为支撑衬底；以及气体注入单元，其位于处理室中。气体注入单元包括：第一注入部，其构造为注入源气体；第二注入部，其面向第一注入部并构造为注入与源气体反应的反应气体；以及第三注入部，其构造为注入去除源气体和反应气体产生的反应物的清洁气体。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底处理设备 气体注入单元 反应气体 源气体 清洁气体 支撑单元 清洁 反应物 注入源 衬底 去除 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理设备，包括：处理室；支撑单元，其位于所述处理室中并构造为支撑衬底；以及气体注入单元，其位于所述处理室中，其中，所述气体注入单元包括：第一注入部，其构造为注入源气体；第二注入部，其面对所述第一注入部并且构造为注入与所述源气体反应的反应气体；以及第三注入部，其构造为注入清洁气体，所述清洁气体去除由所述源气体和所述反应气体产生的反应物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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