[发明专利]一种共晶铝硅合金的自变质处理方法有效
| 申请号： | 201810907528.5 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109055789B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王建华;李宏宝;彭浩平;涂浩;苏旭平 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C22C1/03 | 分类号： | C22C1/03;C22C21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及属于有色金属制备领域，尤其涉及一种共晶铝硅合金的自变质处理方法。本发明以经过球化退火处理的共晶铝硅合金作为变质剂，对共晶铝硅合金本身进行自变质处理。本发明采用0.1～1.0wt％球化退火共晶铝硅合金，在630～750℃温度范围内对共晶铝硅合金进行变质处理后，明显改善共晶铝硅合金的显微组织，使共晶铝硅合金的力学性能得到显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共晶铝硅 合金 变质 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种共晶铝硅合金的自变质处理方法，其特征在于，所述处理方法的具体操作步骤包括：(1)采用Al锭和Al‑50wt.％Si为原料，采用熔铸方法制备Al‑12.6wt.％Si共晶铝硅合金；(2)将步骤(1)制得的Al‑12.6wt.％Si共晶铝硅合金放入在退火炉中球化退火2‑4小时后，将试样取出进行空冷，得到共晶硅为粒状的Al‑12.6wt.％Si合金；(3)将步骤(1)制得的Al‑12.6wt.％Si共晶铝硅合金在630‑750℃以下进行重熔，使用C2Cl6从熔体中除去气体和熔渣；(4)采用步骤(2)球化退火的Al‑12.6wt.％Si合金加入步骤(3)的共晶铝硅合金熔体中进行自变质处理；(5)将自变质处理后的共晶铝硅合金熔体浇注到100℃的金属型模具中，制得自变质共晶铝硅合金。
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