[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审

专利信息
申请号: 201810909958.0 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN109473338A 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 尾崎贵志 申请(专利权)人: 株式会社国际电气
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;李文屿
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为降低排气部的维护频率。半导体器件的制造方法具有下述工序:对处理容器内的衬底供给处理气体,并从包括排气管以及泵的排气部进行排气,从而对衬底进行处理的工序;从设置于排气管的供给端口向排气管内直接供给第一清洁气体,从而对排气部内进行清洁的工序;和向处理容器内供给第二清洁气体,从而对处理容器内进行清洁的工序,其中,使实施对排气部内进行清洁的工序的频率高于实施对处理容器内进行清洁的工序的频率。
搜索关键词: 处理容器 排气部 半导体器件 排气管 清洁 衬底处理装置 清洁气体 衬底 制造 处理气体 供给端口 直接供给 排气 维护
【主权项】:
1.半导体器件的制造方法,其具有下述工序:对处理容器内的衬底供给处理气体,并从包括排气管以及泵的排气部进行排气,从而对所述衬底进行处理的工序;从设置于所述排气管的供给端口向所述排气管内直接供给第一清洁气体,从而对所述排气部内进行清洁的工序;和向所述处理容器内供给第二清洁气体,从而对所述处理容器内进行清洁的工序,其中,使实施对所述排气部内进行清洁的工序的频率高于实施对所述处理容器内进行清洁的工序的频率。
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