[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
申请号: | 201810909958.0 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN109473338A | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 尾崎贵志 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为降低排气部的维护频率。半导体器件的制造方法具有下述工序:对处理容器内的衬底供给处理气体,并从包括排气管以及泵的排气部进行排气,从而对衬底进行处理的工序;从设置于排气管的供给端口向排气管内直接供给第一清洁气体,从而对排气部内进行清洁的工序;和向处理容器内供给第二清洁气体,从而对处理容器内进行清洁的工序,其中,使实施对排气部内进行清洁的工序的频率高于实施对处理容器内进行清洁的工序的频率。 | ||
搜索关键词: | 处理容器 排气部 半导体器件 排气管 清洁 衬底处理装置 清洁气体 衬底 制造 处理气体 供给端口 直接供给 排气 维护 | ||
【主权项】:
1.半导体器件的制造方法,其具有下述工序:对处理容器内的衬底供给处理气体,并从包括排气管以及泵的排气部进行排气,从而对所述衬底进行处理的工序;从设置于所述排气管的供给端口向所述排气管内直接供给第一清洁气体,从而对所述排气部内进行清洁的工序;和向所述处理容器内供给第二清洁气体,从而对所述处理容器内进行清洁的工序,其中,使实施对所述排气部内进行清洁的工序的频率高于实施对所述处理容器内进行清洁的工序的频率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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