[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201810911580.8 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109585555B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 余绍铭;李东颖;云惟胜;杨富祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成具有第一组成的第一半导体层，以及在第一半导体层上方形成具有第二组成的第二半导体层。在第二半导体层上方形成具有第一组成的另一第一半导体层。在另一第一半导体层上方形成具有第三组成的第三半导体层。图案化第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层以形成鳍结构。去除第三半导体层的部分，从而形成包括第二半导体层的纳米线，并且形成围绕纳米线导电材料。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层包括不同的材料。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成具有第一组成的第一半导体层；在所述第一半导体层上方形成具有第二组成的第二半导体层；在所述第二半导体层上方形成具有所述第一组成的另一第一半导体层；在所述另一第一半导体层上方形成具有第三组成的第三半导体层；图案化所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层以形成鳍结构；去除所述第三半导体层的部分，从而形成包括所述第二半导体层的纳米线；以及形成围绕所述纳米线的导电材料，其中，所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层包括不同的材料。
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