[发明专利]一种低免疫原性、可诱导凋亡的IPS细胞制备方法在审

专利信息
申请号: 201810916134.6 申请日: 2018-08-13
公开(公告)号: CN108998419A 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 顾雨春;吴理达;尹乐;谭声江 申请(专利权)人: 北京呈诺医学科技有限公司
主分类号: C12N5/10 分类号: C12N5/10;C12N15/62;C12N15/85;C12N15/867
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 温可睿;赵青朵
地址: 101111 北京市大兴区北京经*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及基因工程技术领域,尤其涉及基因修饰的iPS细胞及其制备方法。本发明提供了敲除B2M基因且表达FKBP‑Caspase9融合蛋白的iPS细胞,该iPS细胞的免疫原性较低,且可受控程序性凋亡。而由于进行的修饰是基因组级别的基因修饰,因此免疫原性的降低以及可受控程序性凋亡均可保持稳定性,并使分化获得的细胞保持这一特点。免疫原性降低有益于异体回输,可受控程序性凋亡提高了细胞的安全性,B2M基因敲除后,不能形成正常的MHCI,细胞免疫原性降低,此单克隆细胞株全部无B2M蛋白表达。
搜索关键词: 凋亡 受控 基因修饰 免疫原性 敲除 制备 单克隆细胞株 基因工程技术 免疫原性降低 细胞免疫原性 低免疫原性 融合蛋白 细胞保持 诱导凋亡 基因组 回输 修饰 分化 细胞
【主权项】:
1.基因修饰的iPS细胞,其表达FKBP‑Caspase9融合蛋白,且不表达B2M蛋白。
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