[发明专利]互连图案结构、半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810926996.7 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109727952B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;王俊智;黄冠杰;林杏芝;朱怡欣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种互连图案结构、半导体结构及其制造方法。半导体结构包含：半导体衬底，其具有有源侧；互连层，其位于所述半导体衬底的所述有源侧上方；及贯穿衬底导通孔TSV，其从所述半导体衬底延伸到第一金属层。所述互连层包含最靠近所述半导体衬底的所述有源侧的第一金属层，所述第一金属层的厚度低于1微米，且从俯视视角看，所述第一金属层的连续金属构件的尺寸小于2微米。所述连续金属构件由第一介电构件切断。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 图案 结构 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：半导体衬底，其具有有源侧；互连层，其接近所述半导体衬底的所述有源侧，所述互连层包括：第一金属层，其最靠近所述半导体衬底的所述有源侧，所述第一金属层的厚度小于1微米，从俯视视角看，所述第一金属层的连续金属构件的尺寸小于2微米，其中所述连续金属构件由第一介电构件切断；贯穿衬底导通孔TSV，其从所述半导体衬底延伸到所述第一金属层。
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