[发明专利]检查缺陷的方法和使用该方法制造半导体器件的方法在审
申请号: | 201810928321.6 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN109727881A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 孙荣薰;柳成润;梁裕信 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种检查缺陷的方法,包括:将包括多个裸芯的半导体衬底分成多个检查区域,多个检查区域中的每一个具有至少一个裸芯,半导体衬底包括设置在其上的图案,从多个检查区域中的每一个获得光学图像,获得参考区域和比较区域之间的差分图像,参考区域是多个检查区域中的一个,比较区域是多个检查区域当中除了参考区域之外的区域,通过对差分图像中的相同位置像素的相应的信号强度执行信号分析来确定异常像素,并且可以提供通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案。 | ||
搜索关键词: | 多个检查 参考区域 差分图像 异常像素 衬底 裸芯 半导体 图案 半导体器件 光学图像 设计图案 信号分析 像素 检查 制造 | ||
【主权项】:
1.一种检查缺陷的方法,所述方法包括:将包括多个裸芯的半导体衬底分成多个检查区域,所述多个检查区域中的每一个检查区域具有至少一个裸芯,所述半导体衬底包括设置在其上的图案;从多个检查区域中的每一个检查区域获得光学图像;获得参考区域和比较区域之间的差分图像,所述参考区域是所述多个检查区域中的一个检查区域,所述比较区域是所述多个检查区域当中除所述参考区域之外的区域;通过对差分图像中的相同位置像素的各个信号强度执行信号分析来确定异常像素;以及通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造