[发明专利]图案化结构的制作方法有效

专利信息
申请号: 201810928323.5 申请日: 2018-08-15
公开(公告)号: CN110707003B 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 张峰溢;李甫哲 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/033
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种图案化结构的制作方法,包括下列步骤。在材料层上形成第一图案转移层与第二图案转移层。第二图案转移层的一部分被图案化而成为第一图案。在第一图案的侧壁上形成第一间隙壁。第一图案化转移层被图案化而成为第二图案与第三图案。形成覆盖层覆盖第一图案、第一间隙壁、第二图案与第三图案。移除一部分的覆盖层以暴露出第一图案与第一间隙壁。移除第一间隙壁,并以第一图案以及覆盖层为掩模,对第一图案转移层进行图案化制作工艺。第二图案被图案化制作工艺图案化而成为第四图案。
搜索关键词: 图案 结构 制作方法
【主权项】:
1.一种图案化结构的制作方法,包括:/n在材料层上形成第一图案转移层;/n在该第一图案转移层上形成第二图案转移层;/n对该第二图案转移层进行第一图案化制作工艺,其中该第二图案转移层的一部分被该第一图案化制作工艺图案化而成为第一图案;/n在该第一图案的侧壁上形成第一间隙壁;/n在形成该第一间隙壁之后,对该第一图案转移层进行第二图案化制作工艺,其中该第一图案化转移层被该第二图案化制作工艺图案化而成为第二图案与第三图案,且该第二图案形成于该材料层与该第一图案之间;/n形成覆盖层覆盖该第一图案、该第一间隙壁、该第二图案以及该第三图案;/n移除一部分的该覆盖层,用以暴露出该第一图案与该第一间隙壁;/n移除该第一间隙壁;以及/n在移除该第一间隙壁之后,以该第一图案以及该覆盖层为掩模,对该第一图案转移层进行第三图案化制作工艺,其中该第二图案被该第三图案化制作工艺图案化而成为第四图案。/n
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