[发明专利]一种硅酸铜中空微球的制备方法有效
申请号: | 201810928860.X | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN109019618B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 朱万诚;孙盼盼;许林;姜学珍 | 申请(专利权)人: | 曲阜师范大学 |
主分类号: | C01B33/20 | 分类号: | C01B33/20;C01B33/18;C01G3/02;B82Y30/00;B82Y40/00;B01J13/02;C02F1/28;C02F101/36;C02F101/38 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 273165 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供了一种硅酸铜中空微球的制备方法。该方法采用可溶性铜盐为铜源、可溶性硅酸盐为硅源、铵盐为矿化剂、在碱性条件下,经一步水热反应得到尺寸均一的水合硅酸铜CuSiO |
||
搜索关键词: | 一种 硅酸 中空 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅酸铜中空微球的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备多级孔水合硅酸铜中空微球:以可溶性铜盐、硅酸盐为铜源、硅源,以铵盐为矿化剂,在碱性条件下,进行水热反应,得到多级孔水合硅酸铜中空微球;(2)制备多级孔氧化铜/二氧化硅复合中空微球:将多级孔水合硅酸铜中空微球焙烧,得到多级孔氧化铜/二氧化硅复合中空微球。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于曲阜师范大学,未经曲阜师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810928860.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多孔二氧化硅纳米片及其制备方法
- 下一篇:一种降低钾长石粉电导率的方法