[发明专利]并联MOS晶体管有效
| 申请号： | 201810928981.4 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109411471B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | F·塔耶 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及并联MOS晶体管。提供一种电子芯片，其包括彼此并联电耦合的多个第一晶体管。多个第一隔离沟槽被包括在电子芯片中，并且第一晶体管通过第一隔离沟槽彼此分开。每个第一隔离沟槽具有深度和最大宽度，并且深度取决于最大宽度或者是最大宽度的函数。 | ||
| 搜索关键词： | 并联 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种电子芯片，包括：多个第一晶体管，彼此并联电耦合；和多个第一隔离沟槽，所述第一晶体管通过所述第一隔离沟槽彼此分开，所述第一隔离沟槽中的每一个具有深度和最大宽度，其中所述第一隔离沟槽的深度是最大宽度的函数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
