[发明专利]一种漏电过程自控的凹入式沟道动态随机存储器单元

摘要

本发明涉及一种漏电过程自控的凹入式沟道动态随机存储器单元。其结构主要包括凹入式沟道(Recessed Channel)鳍式（Fin）访问晶体管(Access Transistor)，存储电容，以及扩展式源极金属。源极接触金属与晶体管的源极接触，并扩展到栅极与沟道之间，同时与存储电容底电极相连，扩展的源极接触金属、源极、存储电容底电极三者连接成为等电势体。与现有技术相比，本发明利用了扩展式源极接触金属控制鳍式晶体管的沟道，能实现与源极等电势的存储电容在关态漏电过程中，对亚阈值漏电通道的自我控制，进一步减小了漏电流，从而提升了存储电容上电荷的保持时间。

主权项

1.一种具有漏电过程自控能力的凹入式沟道（Recessed Channel）动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory, DRAM）单元，其结构主要包括凹入式沟道(Recessed Channel)鳍式（Fin）访问晶体管(Access Transistor)，存储电容，以及扩展式源极金属，其特征在于，存储电容，扩展式源极金属，鳍式晶体管的源极三者互相连接，成为等势体；所述扩展式源极金属扩展至沟道与栅极金属之间，并由栅极绝缘层与沟道和栅极金属隔绝，存储电容底电极与源极、源极扩展金属接触，顶电极通常接地；所述凹入式沟道鳍式访问晶体管由源极，凹入式沟道，漏极，控制凹入式沟道的栅极金属以及隔绝介电层组成，栅极金属接DRAM字线，漏极接DRAM的位线。