[发明专利]掩模装置及其控制方法有效
| 申请号： | 201810939837.0 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN108873598B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 马国靖 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54;G02F1/1337 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨广宇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掩模装置及其控制方法，属于显示技术领域。所述掩模装置包括：掩模板和控制器，掩模板包括多个掩模单元，控制器与每个掩模单元均连接，且每个掩模单元具有透光状态和遮光状态，控制器用于控制掩模单元处于透光状态或遮光状态，以调整掩模装置中的透光区域。本发明解决了掩模装置的工作效率较低的问题。本发明用于对形成显示面板的膜层进行掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模装置，其特征在于，所述掩模装置包括：掩模板和控制器，所述掩模板包括多个掩模单元，所述控制器与每个所述掩模单元均连接，且每个所述掩模单元具有透光状态和遮光状态，所述控制器用于控制所述掩模单元处于透光状态或遮光状态，以调整所述掩模装置中的透光区域。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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