[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810940288.9 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109148461B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 左明光 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：半导体衬底；阵列结构，位于半导体衬底上，阵列结构包括位于半导体衬底上方的栅叠层结构、以及贯穿栅叠层结构的多个导电通道；以及接触层，包括沉积形成的金属硅化物，位于半导体衬底中，其中，接触层分别与形成在半导体衬底中的有源区以及导电通道接触。该3D存储器件在衬底中形成接触层，减少了导电通道与衬底中有源区之间的接触电阻，从而为存储单元串的互联提供了很好的条件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件，包括:半导体衬底；阵列结构，位于所述半导体衬底上，所述阵列结构包括位于所述半导体衬底上方的栅叠层结构、以及贯穿所述栅叠层结构的多个导电通道；以及接触层，位于所述半导体衬底中，其中，所述接触层包括沉积形成的金属硅化物，分别与形成在所述半导体衬底中的有源区以及所述导电通道接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
