[发明专利]高端栅极场效应管的驱动电路及其方法有效
| 申请号： | 201810948106.2 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109194316B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王春华 | 申请（专利权）人： | 南京沁恒微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/687 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210012 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高端栅极场效应管的驱动电路及其方法，其中，其电路包括由四个N型场效应管MOS1、MOS2、MOS3和MOS4组成的H型全桥、两第一电压驱动器和两第二电压驱动器，两第一电压驱动器分别与MOS1和MOS3连接，两第二电压驱动器分别与MOS2和MOS4连接，其特征在于，所述MOS1的栅极与MOS4的栅极之间连接有电容C2；所述MOS2的栅极与MOS3的栅极之间连接有电容C1。本发明结构简单可靠、电容值较小、便于芯片内部集成、芯片引脚少。 | ||
| 搜索关键词： | 高端 栅极 场效应 驱动 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型高端栅极场效应管的驱动电路，包括由四个N型场效应管MOS1、MOS2、MOS3和MOS4组成的H型全桥、两第一电压驱动器和两第二电压驱动器，两第一电压驱动器分别与MOS1和MOS3连接，两第二电压驱动器分别与MOS2和MOS4连接，其特征在于，所述MOS1的栅极与MOS4的栅极之间连接有电容C2；所述MOS2的栅极与MOS3的栅极之间连接有电容C1。
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